高頻退火設(shè)備在通過離子注入之后就必須退火。由于往半導(dǎo)體材料中引入殘渣正離子時，高效率能量的出射正離子會與半導(dǎo)體材料晶格常數(shù)上的原子撞擊，使一些晶格常數(shù)原子產(chǎn)生偏移，結(jié)果導(dǎo)致很多的位置，將促使引入?yún)^(qū)中的原子排序錯亂或是變?yōu)闉榉蔷^(qū)，因此在離子注入之后務(wù)必把半導(dǎo)體材料放到一定的溫度下開展退火，以修復(fù)結(jié)晶的結(jié)構(gòu)特征和清除缺點。與此同時，退火也有激話施主和受主殘渣的作用，即把有一些處在空隙部位的殘渣原子根據(jù)退火而讓他們進到取代部位。退火的溫度一般為200~800C，比熱容蔓延夾雜的溫度要低得多。